中國記憶體晶片製造商長鑫存儲週末宣布，在開發更高效的新架構設計上取得重大進展，此技術能將更多數據壓縮至更小空間以提高存儲密度。這項消息引發全球科技股賣壓，美光(MU)在盤前交易下跌3.7%，韓國SK海力士重挫10%，三星電子也下跌7.4%。其他記憶體相關類股如SanDisk、Seagate(STX)與Western Digital(WDC)也同步走弱。

上市首日狂飆逾四倍，市值直逼科技巨頭

長鑫存儲在今年7月透過首次公開募股(IPO)躍上國際舞台。該公司在上海科創板掛牌首日股價狂飆近466%，成為當時中國市值最高的上市公司。儘管目前股價較IPO當日的49元人民幣微幅回跌4%，但市值仍維持在3.46兆人民幣（約5200億美元），與科技巨頭騰訊的3.87兆人民幣相去不遠。總部位於合肥的長鑫存儲成立於2016年，歷經約十年發展後成功上市。

力拚高頻寬記憶體，挑戰美國出口管制限制

長鑫存儲上市後面臨的最大挑戰，在於能否縮小與美光(MU)、三星及SK海力士在AI晶片系統關鍵零組件「高頻寬記憶體(HBM)」的技術差距。雖然龐大的中國國內需求為其提供了強勁支撐，但受限於美國出口管制，該公司無法取得生產先進半導體所需的ASML(ASML)極紫外光(EUV)曝光機等關鍵設備。

新架構產品預計2026年問世，緊追國際大廠

據報導，長鑫存儲計畫在2026年底前推出基於全新「4F square」技術的伺服器記憶體產品，以實現更高的存儲密度。這項技術也正是SK海力士所追求的目標，其已提出了相關技術的發展藍圖。分析師普遍認為長鑫存儲在記憶體發展領域仍落後於國際對手，因此任何突破性消息都會顯著影響投資人對全球競爭者市場優勢的評估。

全球市佔率攀升至10%，蘋果(AAPL)傳正進行測試

儘管面臨出口管制挑戰，長鑫存儲在市場上仍取得顯著進展。根據匯豐銀行週四發布的報告，其在全球動態隨機存取記憶體(DRAM)市場的市佔率已從一年前的約4%上升至10%左右。花旗分析師在8月的報告中指出，雖然美國政府不太可能允許中國製造的記憶體銷往美國，但銷往歐洲等其他地區資料中心的產品，可能會對美光(MU)造成間接衝擊。此外，金融時報7月引述知情人士報導，蘋果(AAPL)已開始在中國銷售的設備中測試長鑫存儲的DRAM晶片，並持續遊說美國政府允許擴大採用其產品。

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